BAS116LT1G
IC
SOT-23
可供量大可议
BAS116LT1G
特性：低漏电流。 中等开关速度。 采用8mm卷带封装。 S和NSV前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准， 具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）， 符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
SOT-23
库存
6,020
货期
现货
BAS116LT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 6020 |
BAS116LT1G概述
特性：低漏电流。 中等开关速度。 采用8mm卷带封装。 S和NSV前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准， 具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）， 符合RoHS标准
BAS116LT1G特性
暂无产品特性。
BAS116LT1G应用领域
暂无应用领域。