B772-Y
IC
SOT-89
可供量大可议
B772-Y
晶体管类型：NPNP 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic, Ib)：500mV@2A, 200mA 直流电流增益(hFE@Ic, Vce)：400@1A, 2V 特征频率（fT）：50MHZ 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
FUXINSEMI
封装
SOT-89
库存
260
货期
现货
B772-Y参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | FUXINSEMI(富芯森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 260 |
B772-Y概述
晶体管类型：NPNP 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic, Ib)：500mV@2A, 200mA 直流电流增益(hFE@Ic, Vce)：400@1A, 2V 特征频率（fT）：50MHZ 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
B772-Y特性
暂无产品特性。
B772-Y应用领域
暂无应用领域。