B5818WSHE3-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
B5818WSHE3-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为30V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流为1000μA。 器件的非重复峰值正向浪涌电流能力为1.5A, 适用于对效率和热性能有一定要求的整流、续流及电源极性保护等电路应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
180
货期
现货
B5818WSHE3-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
B5818WSHE3-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为30V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流为1000μA。 器件的非重复峰值正向浪涌电流能力为1.5A, 适用于对效率和热性能有一定要求的整流、续流及电源极性保护等电路应用。
B5818WSHE3-HXY特性
暂无产品特性。
B5818WSHE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
