库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
B5818WSHE3-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

B5818WSHE3-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为30V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流为1000μA。 器件的非重复峰值正向浪涌电流能力为1.5A, 适用于对效率和热性能有一定要求的整流、续流及电源极性保护等电路应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

180

货期

现货

B5818WSHE3-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存180

B5818WSHE3-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为30V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流为1000μA。 器件的非重复峰值正向浪涌电流能力为1.5A, 适用于对效率和热性能有一定要求的整流、续流及电源极性保护等电路应用。

B5818WSHE3-HXY特性

暂无产品特性。

B5818WSHE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件