B3L30LP-7
IC
UDFN3030-8
可供量大可议
B3L30LP-7
特性：保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 低功耗， 高效率。 低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高正向浪涌电流能力。 完全无铅， 完全符合 RoHS 标准。 无卤和无锑， “绿色”器件
品牌
DIODES
封装
UDFN3030-8
库存
46
货期
现货
B3L30LP-7参数
| 封装 | UDFN3030-8 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 46 |
B3L30LP-7概述
特性：保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 低功耗， 高效率。 低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高正向浪涌电流能力。 完全无铅， 完全符合 RoHS 标准。 无卤和无锑， “绿色”器件
B3L30LP-7特性
暂无产品特性。
B3L30LP-7应用领域
暂无应用领域。