库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
B360AE-13-HXY
IC

SMA

可供量大可议

B360AE-13-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通状态下能有效降低功耗。 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)为500μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

85

货期

现货

B360AE-13-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存85

B360AE-13-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通状态下能有效降低功耗。 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)为500μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关场景。

B360AE-13-HXY特性

暂无产品特性。

B360AE-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件