B360A-M3/61T-HXY
IC
SMA
可供量大可议
B360A-M3/61T-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适合用于对整流效率和瞬态耐受能力有要求的电源转换、适配器及高频电路等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
35
货期
现货
B360A-M3/61T-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 35 |
B360A-M3/61T-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适合用于对整流效率和瞬态耐受能力有要求的电源转换、适配器及高频电路等应用场景。
B360A-M3/61T-HXY特性
暂无产品特性。
B360A-M3/61T-HXY应用领域
暂无应用领域。
