B360A-E3/61T-HXY
IC
SMA
可供量大可议
B360A-E3/61T-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置时, 漏电流(IR)为500μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向电流(IFSM)可达70A。 适用于开关电源、适配器及各类高频整流电路中, 对效率和响应速度有一定要求的场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
170
货期
现货
B360A-E3/61T-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 170 |
B360A-E3/61T-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置时, 漏电流(IR)为500μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向电流(IFSM)可达70A。 适用于开关电源、适配器及各类高频整流电路中, 对效率和响应速度有一定要求的场合。
B360A-E3/61T-HXY特性
暂无产品特性。
B360A-E3/61T-HXY应用领域
暂无应用领域。
