库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
B360A-E3/61T-HXY
IC

SMA

可供量大可议

B360A-E3/61T-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置时, 漏电流(IR)为500μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向电流(IFSM)可达70A。 适用于开关电源、适配器及各类高频整流电路中, 对效率和响应速度有一定要求的场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

170

货期

现货

B360A-E3/61T-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存170

B360A-E3/61T-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置时, 漏电流(IR)为500μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向电流(IFSM)可达70A。 适用于开关电源、适配器及各类高频整流电路中, 对效率和响应速度有一定要求的场合。

B360A-E3/61T-HXY特性

暂无产品特性。

B360A-E3/61T-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件

B360A-E3/61T-HXY HXY MOSFET | IC-CHIP B2B