B3100BE-13-HXY
IC
SMB
可供量大可议
B3100BE-13-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在导通状态下保持较低功耗; 反向漏电流(IR)最大为100μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式电子设备电源管理及对效率与热性能有较高要求的电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
130
货期
现货
B3100BE-13-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 130 |
B3100BE-13-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在导通状态下保持较低功耗; 反向漏电流(IR)最大为100μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式电子设备电源管理及对效率与热性能有较高要求的电路场合。
B3100BE-13-HXY特性
暂无产品特性。
B3100BE-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
