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B3100BE-13-HXY
IC

SMB

可供量大可议

B3100BE-13-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在导通状态下保持较低功耗; 反向漏电流(IR)最大为100μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式电子设备电源管理及对效率与热性能有较高要求的电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

130

货期

现货

B3100BE-13-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存130

B3100BE-13-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在导通状态下保持较低功耗; 反向漏电流(IR)最大为100μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式电子设备电源管理及对效率与热性能有较高要求的电路场合。

B3100BE-13-HXY特性

暂无产品特性。

B3100BE-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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