B3100-13-F
IC
SMC(DO-214AB)
可供量大可议
B3100-13-F
特性：保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 低功耗， 高效率。 浪涌过载额定值达100A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层， 符合RoHS标准。 绿色模塑化合物（无卤素和锑）
品牌
DIODES
封装
SMC(DO-214AB)
库存
5,958
货期
现货
B3100-13-F参数
| 封装 | SMC(DO-214AB) |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 5958 |
B3100-13-F概述
特性：保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 低功耗， 高效率。 浪涌过载额定值达100A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层， 符合RoHS标准。 绿色模塑化合物（无卤素和锑）
B3100-13-F特性
暂无产品特性。
B3100-13-F应用领域
暂无应用领域。