B260S1F-7-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
B260S1F-7-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过100μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
85
货期
现货
B260S1F-7-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 85 |
B260S1F-7-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过100μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。
B260S1F-7-HXY特性
暂无产品特性。
B260S1F-7-HXY应用领域
暂无应用领域。
