B180-13-F-HXY
IC
SMA
可供量大可议
B180-13-F-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达80V。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下保持较低的功耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过200μA, 展现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及电源极性保护等电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
15
货期
现货
B180-13-F-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 15 |
B180-13-F-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达80V。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下保持较低的功耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过200μA, 展现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及电源极性保护等电子电路中。
B180-13-F-HXY特性
暂无产品特性。
B180-13-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
