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B160S1F-7-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

B160S1F-7-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向重复峰值电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为200μA。 器件具备30A的正向浪涌电流承受能力(IFSM), 适用于电源整流、信号箝位、反接保护及高频开关等电路场合, 能够满足对低功耗与高响应性能有要求的应用需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

90

货期

现货

B160S1F-7-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存90

B160S1F-7-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向重复峰值电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为200μA。 器件具备30A的正向浪涌电流承受能力(IFSM), 适用于电源整流、信号箝位、反接保护及高频开关等电路场合, 能够满足对低功耗与高响应性能有要求的应用需求。

B160S1F-7-HXY特性

暂无产品特性。

B160S1F-7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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