B160S1F-7-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
B160S1F-7-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向重复峰值电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为200μA。 器件具备30A的正向浪涌电流承受能力(IFSM), 适用于电源整流、信号箝位、反接保护及高频开关等电路场合, 能够满足对低功耗与高响应性能有要求的应用需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
90
货期
现货
B160S1F-7-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 90 |
B160S1F-7-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向重复峰值电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为200μA。 器件具备30A的正向浪涌电流承受能力(IFSM), 适用于电源整流、信号箝位、反接保护及高频开关等电路场合, 能够满足对低功耗与高响应性能有要求的应用需求。
B160S1F-7-HXY特性
暂无产品特性。
B160S1F-7-HXY应用领域
暂无应用领域。
