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B160Q-13-F-HXY
IC

SMA

可供量大可议

B160Q-13-F-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及高频开关电路, 常见于消费类电源适配器、便携设备充电模块及通用电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

180

货期

现货

B160Q-13-F-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存180

B160Q-13-F-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及高频开关电路, 常见于消费类电源适配器、便携设备充电模块及通用电子系统中。

B160Q-13-F-HXY特性

暂无产品特性。

B160Q-13-F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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