B160Q-13-F-HXY
IC
SMA
可供量大可议
B160Q-13-F-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及高频开关电路, 常见于消费类电源适配器、便携设备充电模块及通用电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
180
货期
现货
B160Q-13-F-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
B160Q-13-F-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及高频开关电路, 常见于消费类电源适配器、便携设备充电模块及通用电子系统中。
B160Q-13-F-HXY特性
暂无产品特性。
B160Q-13-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
