B160AE-13-HXY
IC
SMA
可供量大可议
B160AE-13-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场合, 常见于电源管理、适配器及各类电子设备中的低压高频应用。
Brand
HXY MOSFET
Package
SMA
Stock
135
货期
现货
B160AE-13-HXYParameters
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 135 |
B160AE-13-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场合, 常见于电源管理、适配器及各类电子设备中的低压高频应用。
B160AE-13-HXY特性
暂无产品特性。
B160AE-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
