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B160AE-13-HXY
IC

SMA

可供量大可议

B160AE-13-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场合, 常见于电源管理、适配器及各类电子设备中的低压高频应用。

Brand

HXY MOSFET

Package

SMA

Stock

135

货期

现货

B160AE-13-HXYParameters

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存135

B160AE-13-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场合, 常见于电源管理、适配器及各类电子设备中的低压高频应用。

B160AE-13-HXY特性

暂无产品特性。

B160AE-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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