B160-13-F-HXY
IC
SMA
可供量大可议
B160-13-F-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为1A, 最大反向电压VR达60V。 其正向压降VF为0.7V, 在导通时维持较低的功率损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流IR不超过500μA, 具备良好的反向截止特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流IFSM, 适用于高频整流、电源转换、极性保护及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
140
货期
现货
B160-13-F-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 140 |
B160-13-F-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为1A, 最大反向电压VR达60V。 其正向压降VF为0.7V, 在导通时维持较低的功率损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流IR不超过500μA, 具备良好的反向截止特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流IFSM, 适用于高频整流、电源转换、极性保护及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。
B160-13-F-HXY特性
暂无产品特性。
B160-13-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
