B140HW-7-HXY
IC
SOD-123
可供量大可议
B140HW-7-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 在导通状态下能有效降低功耗。 反向漏电流(IR)在最大反向电压下为1000μA, 适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。 器件可承受高达9A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适合用于电源整流、信号箝位及低电压输出场合, 具备较快的开关响应特性。
Brand
HXY MOSFET
Package
SOD-123
Stock
3,710
货期
现货
B140HW-7-HXYParameters
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3710 |
B140HW-7-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 在导通状态下能有效降低功耗。 反向漏电流(IR)在最大反向电压下为1000μA, 适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。 器件可承受高达9A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适合用于电源整流、信号箝位及低电压输出场合, 具备较快的开关响应特性。
B140HW-7-HXY特性
暂无产品特性。
B140HW-7-HXY应用领域
暂无应用领域。
