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B140HW-7-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

B140HW-7-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 在导通状态下能有效降低功耗。 反向漏电流(IR)在最大反向电压下为1000μA, 适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。 器件可承受高达9A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适合用于电源整流、信号箝位及低电压输出场合, 具备较快的开关响应特性。

Brand

HXY MOSFET

Package

SOD-123

Stock

3,710

货期

现货

B140HW-7-HXYParameters

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存3710

B140HW-7-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 在导通状态下能有效降低功耗。 反向漏电流(IR)在最大反向电压下为1000μA, 适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。 器件可承受高达9A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适合用于电源整流、信号箝位及低电压输出场合, 具备较快的开关响应特性。

B140HW-7-HXY特性

暂无产品特性。

B140HW-7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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