B140-13-F-HXY
IC
SMA
可供量大可议
B140-13-F-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、高频开关以及对效率和热性能有要求的电子电路中。
Brand
HXY MOSFET
Package
SMA
Stock
40
货期
现货
B140-13-F-HXYParameters
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
B140-13-F-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、高频开关以及对效率和热性能有要求的电子电路中。
B140-13-F-HXY特性
暂无产品特性。
B140-13-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
