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B140-13-F-HXY
IC

SMA

可供量大可议

B140-13-F-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、高频开关以及对效率和热性能有要求的电子电路中。

Brand

HXY MOSFET

Package

SMA

Stock

40

货期

现货

B140-13-F-HXYParameters

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存40

B140-13-F-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、高频开关以及对效率和热性能有要求的电子电路中。

B140-13-F-HXY特性

暂无产品特性。

B140-13-F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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