B1100Q-13-F-HXY
IC
SMA
可供量大可议
B1100Q-13-F-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为100V, 正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗。 在最大反向电压下, 其反向漏电流(IR)不超过100μA, 具备良好的阻断性能。 器件可承受高达30A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、便携式设备电源管理及各类低电压高效率电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
175
货期
现货
B1100Q-13-F-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 175 |
B1100Q-13-F-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为100V, 正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗。 在最大反向电压下, 其反向漏电流(IR)不超过100μA, 具备良好的阻断性能。 器件可承受高达30A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、便携式设备电源管理及各类低电压高效率电路中。
B1100Q-13-F-HXY特性
暂无产品特性。
B1100Q-13-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
