AZ23C10-7-F
IC
SOT-23
可供量大可议
AZ23C10-7-F
特性：双齐纳二极管共阳极配置。 功率耗散额定值：300mW。 非常适合自动插入。 同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。 提供共阴极样式。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 该器件符合JEDEC高可靠性标准
品牌
DIODES
封装
SOT-23
库存
3
货期
现货
AZ23C10-7-F参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3 |
AZ23C10-7-F概述
特性：双齐纳二极管共阳极配置。 功率耗散额定值：300mW。 非常适合自动插入。 同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。 提供共阴极样式。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 该器件符合JEDEC高可靠性标准
AZ23C10-7-F特性
暂无产品特性。
AZ23C10-7-F应用领域
暂无应用领域。