AUP060N055
IC
TO-220
可供量大可议
AUP060N055
特性：低漏源导通电阻: -TO252 RDS(ON) = 4mΩ（典型值）。 DFN5X6 RDS(ON) = 3.6mΩ（典型值）。 TO263 & TO220 RDS(ON) = 4.3mΩ（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5 至 4.5 V。 应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC电源
品牌
ANHI
封装
TO-220
库存
916
货期
现货
AUP060N055参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 916 |
AUP060N055概述
特性：低漏源导通电阻: -TO252 RDS(ON) = 4mΩ（典型值）。 DFN5X6 RDS(ON) = 3.6mΩ（典型值）。 TO263 & TO220 RDS(ON) = 4.3mΩ（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5 至 4.5 V。 应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC电源
AUP060N055特性
暂无产品特性。
AUP060N055应用领域
暂无应用领域。