AUN084N10
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
AUN084N10
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.005Ω（典型值）。 高速功率开关。 应用：便携式设备。 电池供电系统
品牌
ANHI
封装
DFN-8(5x6)
库存
1,085
货期
现货
AUN084N10参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1085 |
AUN084N10概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.005Ω（典型值）。 高速功率开关。 应用：便携式设备。 电池供电系统
AUN084N10特性
暂无产品特性。
AUN084N10应用领域
暂无应用领域。