AUN063N10
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
AUN063N10
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.5mΩ（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.4 至 3.4 V。 应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC电源
品牌
ANHI
封装
DFN5x6-8
库存
1,456
货期
现货
AUN063N10参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1456 |
AUN063N10概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.5mΩ（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.4 至 3.4 V。 应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC电源
AUN063N10特性
暂无产品特性。
AUN063N10应用领域
暂无应用领域。