AUIRFR5410-IR-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AUIRFR5410-IR-HXY
这款P沟道场效应管专为100V电压平台设计, 具备15A的连续漏极电流承载能力。 其导通电阻控制在140mΩ, 有助于降低传导损耗并减少发热。 器件支持±20V的栅源电压范围, 在电路设计中具有较高的驱动灵活性。 作为P沟道器件, 它特别适用于源极接电源正极的高端开关配置, 无需复杂的自举电路即可实现直接驱动。 这种特性使其成为电池供电设备、便携式仪器以及DC-DC转换器中理想的电源通断控制元件, 能够有效简化PCB布局并提升系统的整体稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
39
货期
现货
AUIRFR5410-IR-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 39 |
AUIRFR5410-IR-HXY概述
这款P沟道场效应管专为100V电压平台设计, 具备15A的连续漏极电流承载能力。 其导通电阻控制在140mΩ, 有助于降低传导损耗并减少发热。 器件支持±20V的栅源电压范围, 在电路设计中具有较高的驱动灵活性。 作为P沟道器件, 它特别适用于源极接电源正极的高端开关配置, 无需复杂的自举电路即可实现直接驱动。 这种特性使其成为电池供电设备、便携式仪器以及DC-DC转换器中理想的电源通断控制元件, 能够有效简化PCB布局并提升系统的整体稳定性。
AUIRFR5410-IR-HXY特性
暂无产品特性。
AUIRFR5410-IR-HXY应用领域
暂无应用领域。
