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AUIRFR5410-IR-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AUIRFR5410-IR-HXY

这款P沟道场效应管专为100V电压平台设计, 具备15A的连续漏极电流承载能力。 其导通电阻控制在140mΩ, 有助于降低传导损耗并减少发热。 器件支持±20V的栅源电压范围, 在电路设计中具有较高的驱动灵活性。 作为P沟道器件, 它特别适用于源极接电源正极的高端开关配置, 无需复杂的自举电路即可实现直接驱动。 这种特性使其成为电池供电设备、便携式仪器以及DC-DC转换器中理想的电源通断控制元件, 能够有效简化PCB布局并提升系统的整体稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

39

货期

现货

AUIRFR5410-IR-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存39

AUIRFR5410-IR-HXY概述

这款P沟道场效应管专为100V电压平台设计, 具备15A的连续漏极电流承载能力。 其导通电阻控制在140mΩ, 有助于降低传导损耗并减少发热。 器件支持±20V的栅源电压范围, 在电路设计中具有较高的驱动灵活性。 作为P沟道器件, 它特别适用于源极接电源正极的高端开关配置, 无需复杂的自举电路即可实现直接驱动。 这种特性使其成为电池供电设备、便携式仪器以及DC-DC转换器中理想的电源通断控制元件, 能够有效简化PCB布局并提升系统的整体稳定性。

AUIRFR5410-IR-HXY特性

暂无产品特性。

AUIRFR5410-IR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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