AUIRFR540ZTRL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AUIRFR540ZTRL-HXY
这款N沟道场效应管专为中高压功率管理设计, 具备100V的漏源击穿电压与30A的连续电流处理能力。 其核心优势在于极低的24mΩ导通电阻, 配合±20V的栅源耐压范围, 有效降低了导通损耗与热设计难度。 器件利用先进的沟槽技术优化了开关特性, 适合应用于高频DC-DC转换器、无刷电机驱动电路以及高功率密度的负载开关系统, 能够显著提升电源转换效率并简化散热结构。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
47
货期
现货
AUIRFR540ZTRL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
AUIRFR540ZTRL-HXY概述
这款N沟道场效应管专为中高压功率管理设计, 具备100V的漏源击穿电压与30A的连续电流处理能力。 其核心优势在于极低的24mΩ导通电阻, 配合±20V的栅源耐压范围, 有效降低了导通损耗与热设计难度。 器件利用先进的沟槽技术优化了开关特性, 适合应用于高频DC-DC转换器、无刷电机驱动电路以及高功率密度的负载开关系统, 能够显著提升电源转换效率并简化散热结构。
AUIRFR540ZTRL-HXY特性
暂无产品特性。
AUIRFR540ZTRL-HXY应用领域
暂无应用领域。
