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AUIRFR540ZTRL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AUIRFR540ZTRL-HXY

这款N沟道场效应管专为中高压功率管理设计, 具备100V的漏源击穿电压与30A的连续电流处理能力。 其核心优势在于极低的24mΩ导通电阻, 配合±20V的栅源耐压范围, 有效降低了导通损耗与热设计难度。 器件利用先进的沟槽技术优化了开关特性, 适合应用于高频DC-DC转换器、无刷电机驱动电路以及高功率密度的负载开关系统, 能够显著提升电源转换效率并简化散热结构。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

47

货期

现货

AUIRFR540ZTRL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

AUIRFR540ZTRL-HXY概述

这款N沟道场效应管专为中高压功率管理设计, 具备100V的漏源击穿电压与30A的连续电流处理能力。 其核心优势在于极低的24mΩ导通电阻, 配合±20V的栅源耐压范围, 有效降低了导通损耗与热设计难度。 器件利用先进的沟槽技术优化了开关特性, 适合应用于高频DC-DC转换器、无刷电机驱动电路以及高功率密度的负载开关系统, 能够显著提升电源转换效率并简化散热结构。

AUIRFR540ZTRL-HXY特性

暂无产品特性。

AUIRFR540ZTRL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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