AUIRFR2905ZTRL-HXY

本N沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源电压（VDSS）和50A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至11mΩ， 可实现高效、低损耗的功率控制。 器件采用先进封装技术， 具备良好的散热性能与可靠性， 适用于各类电源系统， 如开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统及高精度电机驱动电路， 支持高频运行与紧凑型设计需求。