AUIRFR024NTRL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AUIRFR024NTRL-HXY
AUIRFR024NTRL N沟道MOS管采用行业主流TO-252-2L封装， 具备出色的散热性能和布局灵活性。 其核心优势在于支持60V的最大漏源电压(VDSS)及高达15A的连续漏极电流(ID)， 专为高功率应用打造。 导通电阻低至38mΩ， 确保在大电流操作下仍能维持高效能和低损耗。 广泛应用于电源转换器、电机驱动等领域， 是兼具高性能与可靠性的理想半导体器件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
9
货期
现货
AUIRFR024NTRL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
AUIRFR024NTRL-HXY概述
AUIRFR024NTRL N沟道MOS管采用行业主流TO-252-2L封装， 具备出色的散热性能和布局灵活性。 其核心优势在于支持60V的最大漏源电压(VDSS)及高达15A的连续漏极电流(ID)， 专为高功率应用打造。 导通电阻低至38mΩ， 确保在大电流操作下仍能维持高效能和低损耗。 广泛应用于电源转换器、电机驱动等领域， 是兼具高性能与可靠性的理想半导体器件。
AUIRFR024NTRL-HXY特性
暂无产品特性。
AUIRFR024NTRL-HXY应用领域
暂无应用领域。