AUIRFN8459TR

专为汽车应用设计， 这款HEXFET功率MOSFET采用最新加工技术， 以实现每个硅片面积极低的导通电阻。 该设计的其他特性包括175℃的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。 这些特性相结合， 使该产品成为汽车和其他各种应用中极其高效和可靠的器件。