AUIRF7805Q-HXY

本N沟道场效应管（MOSFET）采用先进工艺制造， 具备优异的导通性能， 导通电阻（RDON）低至9.5mΩ， 有效减少功率损耗并提升整体效率。 器件漏源耐压（VDSS）为30V， 持续工作电流（ID）可达13A， 适用于多种中高功率应用场景。 其结构设计优化， 具备良好的热稳定性和耐用性， 可广泛用于电源管理、开关电路、电机控制及各类电子设备中的功率调节单元。