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AUIRF7769L2TR
IC

DirectFET

可供量大可议

AUIRF7769L2TR

AUIRF7769L2TR将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合, 在具有D-Pak(TO-252AA)封装尺寸且厚度仅为0.7毫米的封装中实现了极低的导通电阻。 如果在制造方法和工艺方面遵循应用笔记AN-1035, DirectFET®封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET®封装支持双面散热, 可在汽车电源系统中实现最大程度的热传递

品牌

Infineon

封装

DirectFET

库存

12

货期

现货

AUIRF7769L2TR参数

封装DirectFET
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存12

AUIRF7769L2TR概述

AUIRF7769L2TR将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合, 在具有D-Pak(TO-252AA)封装尺寸且厚度仅为0.7毫米的封装中实现了极低的导通电阻。 如果在制造方法和工艺方面遵循应用笔记AN-1035, DirectFET®封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET®封装支持双面散热, 可在汽车电源系统中实现最大程度的热传递

AUIRF7769L2TR特性

暂无产品特性。

AUIRF7769L2TR应用领域

暂无应用领域。

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