AUIRF7640S2TR
IC
MG-WDSON-4
可供量大可议
AUIRF7640S2TR
AUIRF7640S2TR/TR1将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装平台相结合， 为汽车D类音频放大器应用打造出一款一流的产品。 当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时， DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET封装支持双面散热， 可最大限度地提高汽车电源系统中的热传递效率
品牌
Infineon
封装
MG-WDSON-4
库存
48
货期
现货
AUIRF7640S2TR参数
| 封装 | MG-WDSON-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
AUIRF7640S2TR概述
AUIRF7640S2TR/TR1将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装平台相结合， 为汽车D类音频放大器应用打造出一款一流的产品。 当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时， DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET封装支持双面散热， 可最大限度地提高汽车电源系统中的热传递效率
AUIRF7640S2TR特性
暂无产品特性。
AUIRF7640S2TR应用领域
暂无应用领域。