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专为汽车应用设计， 采用双SO-8封装的功率MOSFET， 利用最新处理技术， 实现每硅面积极低的导通电阻。 具备150°C的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 高效的SO-8封装提供增强的热特性和双MOSFET管芯能力， 适用于各种功率应用， 可显著减少电路板空间， 也提供卷带包装。