AUIRF7341QTR-VB
IC
SO-8
可供量大可议
AUIRF7341QTR-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N+P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 60V； 6A； RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
47
货期
现货
AUIRF7341QTR-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 4W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:60V 电流:7A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V； 30mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 600pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
| 商品型号 | AUIRF7341QTR-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000158 |
AUIRF7341QTR-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N+P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 60V； 6A； RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
AUIRF7341QTR-VB特性
- 沟槽型功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
AUIRF7341QTR-VB应用领域
- 隔离式DC/DC转换器