AUB056N10
IC
TO-263
可供量大可议
AUB056N10
特性：低漏源导通电阻: -DFN5X6 RDS(ON) = 4.6mΩ (典型值)。 TO263 RDS(ON) = 4.8mΩ (典型值)。 TO220 RDS(ON) = 4.8mΩ (典型值)。 高速功率开关。 增强体二极管 dv/dt 能力。 增强雪崩耐用性。 应用：开关电源中的同步整流。 电信和工业领域的硬开关和高速 DC/DC 电路
品牌
ANHI
封装
TO-263
库存
694
货期
现货
AUB056N10参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 694 |
AUB056N10概述
特性：低漏源导通电阻: -DFN5X6 RDS(ON) = 4.6mΩ (典型值)。 TO263 RDS(ON) = 4.8mΩ (典型值)。 TO220 RDS(ON) = 4.8mΩ (典型值)。 高速功率开关。 增强体二极管 dv/dt 能力。 增强雪崩耐用性。 应用：开关电源中的同步整流。 电信和工业领域的硬开关和高速 DC/DC 电路
AUB056N10特性
暂无产品特性。
AUB056N10应用领域
暂无应用领域。