AUB045N12
IC
TO-263
可供量大可议
AUB045N12
特性：低漏源导通电阻：RDS(on) = 4.1mΩ（典型值）。 高速功率开关。 增强型体二极管dv/dt能力。 增强型雪崩耐用性。 应用：开关电源中的同步整流。 电信和工业领域的硬开关和高速DC/DC电路
品牌
ANHI
封装
TO-263
库存
277
货期
现货
AUB045N12参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 277 |
AUB045N12概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(on) = 4.1mΩ（典型值）。 高速功率开关。 增强型体二极管dv/dt能力。 增强型雪崩耐用性。 应用：开关电源中的同步整流。 电信和工业领域的硬开关和高速DC/DC电路
AUB045N12特性
暂无产品特性。
AUB045N12应用领域
暂无应用领域。