AU0511P1-P
IC
DFN1006-2
可供量大可议
AU0511P1-P
特性：超低电容：典型值0.6 pF。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：±5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20kV 接触放电：±18kV。 应用：手机及配件。 电池保护
品牌
TECH PUBLIC
封装
DFN1006-2
库存
19,980
货期
现货
AU0511P1-P参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 19980 |
AU0511P1-P概述
特性：超低电容：典型值0.6 pF。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：±5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20kV 接触放电：±18kV。 应用：手机及配件。 电池保护
AU0511P1-P特性
暂无产品特性。
AU0511P1-P应用领域
暂无应用领域。