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ATTINY841-MUR
IC

QFN-20-EP(4x4)

可供量大可议

ATTINY841-MUR

高级RISC架构, 包含120条强大的指令, 其中大多数在一个时钟周期内执行。 配备32个通用工作寄存器和全静态操作, 该微控制器在16 MHz时可达到高达16 MIPS的吞吐量。 它包括4/8K字节的系统内可编程Flash程序存储器, 耐写擦10,000次; 256/512字节的系统内可编程EEPROM, 耐写擦100,000次; 以及256/512字节的内部SRAM。 数据保持能力为85°C下20年或25°C下100年。 微控制器具有自编程Flash & EEPROM数据安全的编程锁、一个8位和两个16位定时器/计数器(每个带有两个PWM通道)、一个可编程超低功耗看门狗定时器、一个10位模数转换器(具有12个外部和5个内部单端输入通道), 以及46对差分ADC通道, 增益可编程(1x / 20x / 100x)。 还包括两个片上模拟比较器、两个带起始帧检测的全双工USART、主/从SPI串行接口、以及从I2C串行接口。 特殊功能包括低功耗空闲模式、ADC降噪、待机模式、掉电模式、增强型上电复位电路、带电源电压采样的可编程掉电检测电路、外部和内部中断源、12个引脚上的引脚变化中断、校准的8MHz振荡器(含温度校准选项)、以及校准的32kHz超低功耗振荡器。 两个I/O引脚具备高电流驱动能力。 该微控制器提供14引脚SOIC、20焊盘MLF/QFN、20焊盘VQFN封装形式, 有12个可编程I/O线。 功耗优化方面, 在活动模式下1.8V和1MHz时为0.2 mA; 空闲模式下1.8V和1MHz时为30 μA; 掉电模式(启用WDT)1.8V时为1.3 μA; 掉电模式(禁用WDT)1.8V时为150 nA。

品牌

MICROCHIP

封装

QFN-20-EP(4x4)

库存

48

货期

现货

ATTINY841-MUR参数

封装QFN-20-EP(4x4)
品牌MICROCHIP(美国微芯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类单片机(MCU/MPU/SOC)
库存48

ATTINY841-MUR概述

高级RISC架构, 包含120条强大的指令, 其中大多数在一个时钟周期内执行。 配备32个通用工作寄存器和全静态操作, 该微控制器在16 MHz时可达到高达16 MIPS的吞吐量。 它包括4/8K字节的系统内可编程Flash程序存储器, 耐写擦10,000次; 256/512字节的系统内可编程EEPROM, 耐写擦100,000次; 以及256/512字节的内部SRAM。 数据保持能力为85°C下20年或25°C下100年。 微控制器具有自编程Flash & EEPROM数据安全的编程锁、一个8位和两个16位定时器/计数器(每个带有两个PWM通道)、一个可编程超低功耗看门狗定时器、一个10位模数转换器(具有12个外部和5个内部单端输入通道), 以及46对差分ADC通道, 增益可编程(1x / 20x / 100x)。 还包括两个片上模拟比较器、两个带起始帧检测的全双工USART、主/从SPI串行接口、以及从I2C串行接口。 特殊功能包括低功耗空闲模式、ADC降噪、待机模式、掉电模式、增强型上电复位电路、带电源电压采样的可编程掉电检测电路、外部和内部中断源、12个引脚上的引脚变化中断、校准的8MHz振荡器(含温度校准选项)、以及校准的32kHz超低功耗振荡器。 两个I/O引脚具备高电流驱动能力。 该微控制器提供14引脚SOIC、20焊盘MLF/QFN、20焊盘VQFN封装形式, 有12个可编程I/O线。 功耗优化方面, 在活动模式下1.8V和1MHz时为0.2 mA; 空闲模式下1.8V和1MHz时为30 μA; 掉电模式(启用WDT)1.8V时为1.3 μA; 掉电模式(禁用WDT)1.8V时为150 nA。

ATTINY841-MUR特性

暂无产品特性。

ATTINY841-MUR应用领域

暂无应用领域。

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