SOT-23-6
ATTINY4-TSHR
ATtiny4/5/9/10是基于AVR增强RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。 通过在一个时钟周期内执行强大的指令, ATtiny4/5/9/10实现接近1 MIPs/MHz的吞吐量。 这使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。 该设备是基于紧凑的AVR增强RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。 通过在一个时钟周期内执行强大的指令, 该设备实现接近1 MIPs/MHz的吞吐量, 使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。 AVR内核将丰富的指令集与16个通用工作寄存器和系统寄存器相结合。 所有寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU), 允许在一个时钟周期内执行的单个指令中访问两个独立的寄存器。 由此产生的架构紧凑且代码效率高, 同时实现比传统CISC微控制器快十倍的吞吐量。 该设备提供以下功能:512/1024字节的片内可编程闪存, 32字节的SRAM, 四个通用I/O线路, 16个通用工作寄存器, 一个带有两个PWM通道的16位定时器/计数器, 内部和外部中断, 一个带有内部振荡器的可编程看门狗定时器, 一个内部校准振荡器以及四种软件选择的省电模式。 ATtiny5/10还配备了一个四通道和8位模数转换器(ADC)。 空闲模式停止CPU, 同时允许SRAM、定时器/计数器、ADC(仅ATtiny5/10)、模拟比较器和中断系统继续运行。 ADC降噪模式通过停止CPU和所有I/O模块(ADC除外)来最小化ADC转换期间的开关噪声。 在关电模式下, 寄存器保持其内容, 并且在下一次中断或硬件复位之前禁用所有芯片功能。 在待机模式下, 振荡器正在运行, 而设备的其余部分正在休眠, 从而实现非常快的启动并结合低功耗。 该设备使用Atmel的高密度非易失性存储器(NVM)技术制造。 片内的系统可编程闪存允许通过传统的非易失性存储器程序员对系统存储器进行重新编程。 ATtiny4/5/9/10 AVR支持一系列程序和系统开发工具, 包括宏汇编器和评估套件。
品牌
MICROCHIP
封装
SOT-23-6
库存
31
货期
现货
ATTINY4-TSHR参数
| 封装 | SOT-23-6 |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 31 |
ATTINY4-TSHR概述
ATtiny4/5/9/10是基于AVR增强RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。 通过在一个时钟周期内执行强大的指令, ATtiny4/5/9/10实现接近1 MIPs/MHz的吞吐量。 这使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。 该设备是基于紧凑的AVR增强RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。 通过在一个时钟周期内执行强大的指令, 该设备实现接近1 MIPs/MHz的吞吐量, 使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。 AVR内核将丰富的指令集与16个通用工作寄存器和系统寄存器相结合。 所有寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU), 允许在一个时钟周期内执行的单个指令中访问两个独立的寄存器。 由此产生的架构紧凑且代码效率高, 同时实现比传统CISC微控制器快十倍的吞吐量。 该设备提供以下功能:512/1024字节的片内可编程闪存, 32字节的SRAM, 四个通用I/O线路, 16个通用工作寄存器, 一个带有两个PWM通道的16位定时器/计数器, 内部和外部中断, 一个带有内部振荡器的可编程看门狗定时器, 一个内部校准振荡器以及四种软件选择的省电模式。 ATtiny5/10还配备了一个四通道和8位模数转换器(ADC)。 空闲模式停止CPU, 同时允许SRAM、定时器/计数器、ADC(仅ATtiny5/10)、模拟比较器和中断系统继续运行。 ADC降噪模式通过停止CPU和所有I/O模块(ADC除外)来最小化ADC转换期间的开关噪声。 在关电模式下, 寄存器保持其内容, 并且在下一次中断或硬件复位之前禁用所有芯片功能。 在待机模式下, 振荡器正在运行, 而设备的其余部分正在休眠, 从而实现非常快的启动并结合低功耗。 该设备使用Atmel的高密度非易失性存储器(NVM)技术制造。 片内的系统可编程闪存允许通过传统的非易失性存储器程序员对系统存储器进行重新编程。 ATtiny4/5/9/10 AVR支持一系列程序和系统开发工具, 包括宏汇编器和评估套件。
ATTINY4-TSHR特性
暂无产品特性。
ATTINY4-TSHR应用领域
暂无应用领域。
