ATSAML10D15A-MUT

特性：工作条件：1.62V 至 3.63V， -40℃ 至 +125℃， DC 至 32 MHz。 内核：32 MHz（2.64 CoreMark/MHz 和高达 31 DMIPS）Arm Cortex-M23， 具备单周期硬件乘法器、硬件除法器、嵌套向量中断控制器 (NVIC)、内存保护单元 (MPU)、堆栈限制检查、TrustZone® for ARMv8-M（可选）。 系统：具备上电复位 (POR) 和可编程欠压检测 (BOD)、8 通道直接内存访问控制器 (DMAC)、8 通道事件系统用于外设间独立于内核的操作、CRC-32 生成器。 内存：16/32/64-KB Flash、4/8/16-KB SRAM、2-KB 数据闪存读写同步 (WWR) 部分用于非易失性数据存储、256 字节具备物理保护功能的 TrustRAM。 时钟管理：灵活的时钟分配， 针对低功耗进行优化， 具备 32.768 kHz 晶体振荡器、32.768 kHz 超低功耗内部 RC 振荡器、0.4 至 32 MHz 晶体振荡器、16/12/8/4 MHz 低功耗内部 RC 振荡器、超低功耗数字锁相环 (DFLLULP)、32-96 MHz 分数数字锁相环 (FDPLL96M)、一个频率计。 低功耗和电源管理：具备活动、空闲、带部分或全部 SRAM 保留的待机和关机睡眠模式； 活动模式 (<25 μA/MHz)； 空闲模式 (<10 μA/MHz)， 唤醒时间 1.5 μs； 带全 SRAM 保留的待机模式 (0.5 μA)， 唤醒时间 5.3 μs； 关机模式 (<100 nA)； 静态和动态电源门控架构； 睡眠行走外设； 两个性能级别； 嵌入式降压/低压差 (LDO) 稳压器， 可实时选择。 安全：多达四个用于静态和动态入侵检测的数据闪存防篡改引脚； 针对安全存储进行优化； 具备用户定义密钥的地址和数据加扰（可选）； 对加扰密钥和一个用户定义行进行快速防篡改擦除； 用于数据读取降噪的静默访问。 TrustRAM：具备用户定义密钥的地址和数据加扰； 对物理 RAM 进行芯片级防篡改检测以抵抗微探测攻击； 对加扰密钥和 RAM 数据进行快速防篡改擦除； 用于数据读取降噪的静默访问； 防止数据残留