QFN-64-EP(7.5x7.5)
ATSAMG55J19A-MU
SMART SAM G55 系列是基于高性能32位ARM Cortex -M4 RISC处理器(带浮点运算单元FPU)的闪存微控制器。 它以最高120 MHz的速度运行, 具有512 K字节的闪存和高达176 K字节的SRAM。 外设集包括八个灵活的通信单元, 包括USART、SPI和I2C总线接口(TWI), 两个三通道通用16位定时器, 两个I2S控制器, 一个通道的脉冲密度调制, 一个8通道12位ADC, 一个实时时钟计时器(RTT)和一个实时时钟(RTC), 两者都位于超低功耗备份区域。 SAM G55设备有三种软件可选的低功耗模式:睡眠模式、等待模式和备份模式。 在睡眠模式下, 处理器停止运行, 而其他功能可以继续运行。 在等待模式下, 所有时钟和功能都停止, 但某些外设可以配置为基于事件唤醒系统, 包括部分异步唤醒(SleepWalking )。 在备份模式下, RTT、RTC和唤醒逻辑仍在运行。 为了优化功耗, 灵活的时钟系统提供了为某些外设设置不同时钟频率的能力。 此外, 处理器和总线时钟频率可以在不影响外设处理的情况下进行修改。 实时事件管理允许外设在活动模式和睡眠模式下接收、响应和发送事件, 而无需处理器干预。 SAM G55设备是通用低功耗微控制器, 提供高性能、处理能力和小封装选项, 并结合了丰富且灵活的外设集。 凭借这一独特的特性组合, SAM G55系列适用于广泛的应用, 包括消费电子、工业控制和PC外设。 该设备的工作电压范围为1.62V至3.6V, 提供三种封装形式:49引脚WLCSP、64引脚QFN和64引脚LQFP。
品牌
MICROCHIP
封装
QFN-64-EP(7.5x7.5)
库存
4
货期
现货
ATSAMG55J19A-MU参数
| 封装 | QFN-64-EP(7.5x7.5) |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
ATSAMG55J19A-MU概述
SMART SAM G55 系列是基于高性能32位ARM Cortex -M4 RISC处理器(带浮点运算单元FPU)的闪存微控制器。 它以最高120 MHz的速度运行, 具有512 K字节的闪存和高达176 K字节的SRAM。 外设集包括八个灵活的通信单元, 包括USART、SPI和I2C总线接口(TWI), 两个三通道通用16位定时器, 两个I2S控制器, 一个通道的脉冲密度调制, 一个8通道12位ADC, 一个实时时钟计时器(RTT)和一个实时时钟(RTC), 两者都位于超低功耗备份区域。 SAM G55设备有三种软件可选的低功耗模式:睡眠模式、等待模式和备份模式。 在睡眠模式下, 处理器停止运行, 而其他功能可以继续运行。 在等待模式下, 所有时钟和功能都停止, 但某些外设可以配置为基于事件唤醒系统, 包括部分异步唤醒(SleepWalking )。 在备份模式下, RTT、RTC和唤醒逻辑仍在运行。 为了优化功耗, 灵活的时钟系统提供了为某些外设设置不同时钟频率的能力。 此外, 处理器和总线时钟频率可以在不影响外设处理的情况下进行修改。 实时事件管理允许外设在活动模式和睡眠模式下接收、响应和发送事件, 而无需处理器干预。 SAM G55设备是通用低功耗微控制器, 提供高性能、处理能力和小封装选项, 并结合了丰富且灵活的外设集。 凭借这一独特的特性组合, SAM G55系列适用于广泛的应用, 包括消费电子、工业控制和PC外设。 该设备的工作电压范围为1.62V至3.6V, 提供三种封装形式:49引脚WLCSP、64引脚QFN和64引脚LQFP。
ATSAMG55J19A-MU特性
暂无产品特性。
ATSAMG55J19A-MU应用领域
暂无应用领域。
