AT2N7002ESA
IC
SOT-23
可供量大可议
AT2N7002ESA
N 沟道增强型 MOSFET， SOT-23 封装， VDS=60V， ID=0.35A， RDS (on)=2.2Ω@10V/2.8Ω@4.5V， Qg=1.7nC， 低栅极电荷， 适用于负载开关， TJ=-55~+150℃， 带ESD
品牌
AnBon
封装
SOT-23
库存
18,700
货期
现货
AT2N7002ESA参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | AnBon(安邦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18700 |
AT2N7002ESA概述
N 沟道增强型 MOSFET， SOT-23 封装， VDS=60V， ID=0.35A， RDS (on)=2.2Ω@10V/2.8Ω@4.5V， Qg=1.7nC， 低栅极电荷， 适用于负载开关， TJ=-55~+150℃， 带ESD
AT2N7002ESA特性
暂无产品特性。
AT2N7002ESA应用领域
暂无应用领域。