AT25SF041B-SSHD-T
自营可供
IC
SOIC-8
AT25SF041B-SSHD-T
FLASH NOR 存储器 IC 4Mb SPI 四 I/O 108 MHz 8-SOIC
品牌
RENESAS
封装
SOIC-8
交期
现货
批次
25+
AT25SF041B-SSHD-T参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | RENESAS(瑞萨) |
| 批次 | 25+ |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 108MHz |
| 待机电流 | 25uA |
| 页写入时间(Tpp) | 400us |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |
| 功能特性 | 硬件写保护； 写使能锁存； 软件写保护 |
| 分类 | NOR FLASH |
|---|---|
| 库存 | 5,432 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 4Mbit |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 块擦除时间(tBE) | 70ms@(4KB) |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
AT25SF041B-SSHD-T概述
FLASH NOR 存储器 IC 4Mb SPI 四 I/O 108 MHz 8-SOIC
AT25SF041B-SSHD-T特性
- 接口类型：SPI（支持标准、双倍速和四 I/O 模式）， 便于与各种 MCU/SoC 串行外设接口兼容。
- 存储容量：4 Mbit（512 KB）。
- 最大时钟频率：108 MHz， 适合对读取吞吐有较高要求的系统。
- 工作电压：2.7V ~ 3.6V， 适用于 3.3V 系统。
- 低功耗：待机电流约 25 μA（典型）， 利于电池供电及低功耗设计。
- 擦写寿命：100,000 次循环（典型）， 满足长期重复擦写应用需求。
- 数据保留（TDR）：典型 20 年。
- 温度范围：工作温度 -40 ℃ 至 +85 ℃， 适用于工业级环境。
- 典型时序：页写入时间 (Tpp) ≈ 400 μs
- 块擦除时间 (tBE) ≈ 70 ms（4 KB 区块）。
- 完善的写保护机制：硬件写保护（WP 引脚）、写使能锁存（WEL）与软件写保护（状态寄存器/保护位）， 提供多层数据安全保障。
AT25SF041B-SSHD-T应用领域
- MCU/SoC 的固件/引导代码存储（Boot ROM 替代或扩展）。
- 嵌入式设备的配置参数与校准数据保存。
- 人机界面与消费电子设备的资源存储（图形、字库等）。
- 工业控制、物联网节点与仪器设备， 需在 -40 ~ +85 ℃ 环境下稳定运行的场合。
- 小型数据记录与固件 OTA（在线升级）场景。