ASW65R120EFD
IC
TO-247
可供量大可议
ASW65R120EFD
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.105Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3 至 5V。 应用：升压PFC开关。 半桥、不对称半桥、串联谐振半桥和全桥拓扑
品牌
ANHI
封装
TO-247
库存
629
货期
现货
ASW65R120EFD参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 629 |
ASW65R120EFD概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.105Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3 至 5V。 应用：升压PFC开关。 半桥、不对称半桥、串联谐振半桥和全桥拓扑
ASW65R120EFD特性
暂无产品特性。
ASW65R120EFD应用领域
暂无应用领域。