ASW65R038EFD
IC
TO-247
可供量大可议
ASW65R038EFD
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.034Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3 至 5V。 应用：软开关升压功率因数校正开关。 HB 或 AHB 或 LLC 半桥和全桥拓扑
品牌
ANHI
封装
TO-247
库存
46
货期
现货
ASW65R038EFD参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46 |
ASW65R038EFD概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.034Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3 至 5V。 应用：软开关升压功率因数校正开关。 HB 或 AHB 或 LLC 半桥和全桥拓扑
ASW65R038EFD特性
暂无产品特性。
ASW65R038EFD应用领域
暂无应用领域。