ASW60R150E
IC
TO-247
可供量大可议
ASW60R150E
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.120Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。 应用：Boost PFC开关、单端反激或双晶体管正激、半桥或不对称半桥或串联谐振半桥拓扑。 PC电源、适配器、LCD与PDP电视、LED照明、服务器电源、电信电源和UPS应用
品牌
ANHI
封装
TO-247
库存
53
货期
现货
ASW60R150E参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 53 |
ASW60R150E概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.120Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。 应用：Boost PFC开关、单端反激或双晶体管正激、半桥或不对称半桥或串联谐振半桥拓扑。 PC电源、适配器、LCD与PDP电视、LED照明、服务器电源、电信电源和UPS应用
ASW60R150E特性
暂无产品特性。
ASW60R150E应用领域
暂无应用领域。