ASU65R550E
IC
TO-251
可供量大可议
ASU65R550E
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.50Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。 应用：Boost PFC开关。 单端反激或双晶体管正激拓扑
品牌
ANHI
封装
TO-251
库存
64
货期
现货
ASU65R550E参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 64 |
ASU65R550E概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.50Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。 应用：Boost PFC开关。 单端反激或双晶体管正激拓扑
ASU65R550E特性
暂无产品特性。
ASU65R550E应用领域
暂无应用领域。