ASU65R1K4E
IC
TO-251
可供量大可议
ASU65R1K4E
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.24Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5 至 4.5V。 应用：软开关升压PFC开关。 半桥、不对称半桥、串联谐振半桥和全桥拓扑
品牌
ANHI
封装
TO-251
库存
1,100
货期
现货
ASU65R1K4E参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1100 |
ASU65R1K4E概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.24Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5 至 4.5V。 应用：软开关升压PFC开关。 半桥、不对称半桥、串联谐振半桥和全桥拓扑
ASU65R1K4E特性
暂无产品特性。
ASU65R1K4E应用领域
暂无应用领域。