ASM65R265E
IC
DFN8x8
可供量大可议
ASM65R265E
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 230mΩ（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。 应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC 电源
品牌
ANHI
封装
DFN8x8
库存
2,858
货期
现货
ASM65R265E参数
| 封装 | DFN8x8 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2858 |
ASM65R265E概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 230mΩ（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。 应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC 电源
ASM65R265E特性
暂无产品特性。
ASM65R265E应用领域
暂无应用领域。