ASDM60P12KQ-R
IC
TO-252
可供量大可议
ASDM60P12KQ-R
特性：高密度单元设计， 实现超低导通电阻（Rdson）。 雪崩电压和电流完全表征。 出色的封装， 具有良好的散热性能。 应用：负载开关PWM应用
品牌
ASDsemi
封装
TO-252
库存
2,575
货期
现货
ASDM60P12KQ-R参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2575 |
ASDM60P12KQ-R概述
特性：高密度单元设计， 实现超低导通电阻（Rdson）。 雪崩电压和电流完全表征。 出色的封装， 具有良好的散热性能。 应用：负载开关PWM应用
ASDM60P12KQ-R特性
暂无产品特性。
ASDM60P12KQ-R应用领域
暂无应用领域。