ASDM60N50KQ-R
IC
TO-252
可供量大可议
ASDM60N50KQ-R
特性：低栅极电荷。 低输入电容（Ciss）。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力
品牌
ASDsemi
封装
TO-252
库存
1,505
货期
现货
ASDM60N50KQ-R参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1505 |
ASDM60N50KQ-R概述
特性：低栅极电荷。 低输入电容（Ciss）。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力
ASDM60N50KQ-R特性
暂无产品特性。
ASDM60N50KQ-R应用领域
暂无应用领域。