ASDM60N45KQ-R
IC
TO-252
可供量大可议
ASDM60N45KQ-R
特性：高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 雪崩电压和电流特性完全表征。 高抗雪崩能量， 稳定性和均匀性良好。 出色的封装设计， 散热性能佳。 特殊工艺技术， 具备高静电防护能力。 应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
品牌
ASDsemi
封装
TO-252
库存
1,735
货期
现货
ASDM60N45KQ-R参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1735 |
ASDM60N45KQ-R概述
特性：高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 雪崩电压和电流特性完全表征。 高抗雪崩能量， 稳定性和均匀性良好。 出色的封装设计， 散热性能佳。 特殊工艺技术， 具备高静电防护能力。 应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
ASDM60N45KQ-R特性
暂无产品特性。
ASDM60N45KQ-R应用领域
暂无应用领域。